Search academic texts

Information × Registration Number 0403U001594, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 17-04-2003 popup.evolution o Title The wide band gap layers of ZnO:Al, ITO and CdS in the film photoelectric active heterosystem Author Yurchenko Grigoriy Vasilevich, popup.head Bojko B.T. popup.opponent Бєлов О.Г. popup.opponent Лопаткін Ю.М. Description Об'єкт - фізичні процеси впливу технологічних рішень широкозонних напівпровідникових шарів на ефективність фотоелектрично активних плівкових багатошарових гетеро- систем; мета - розроблення фізичних основ матеріалознавчої оптимізації технології одержання широкозонних напівпровід- никових шарів для плівкових гетеросистем; методи - фізич- ні та структурні методи дослідження; новизна - вперше за- пропоновані фізичні роль та механізми деградації широко- зонних шарів ZnO:Al, ITO та CdS в багатошарових гетеро- системах; результати - підвищити ефективність плівкових фотоелектричних перетворювачів сонячного випромінюван- ня; галузь - геліоенергетика Registration Date 2003-04-17 popup.nrat_date 2020-04-04 Close