Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0403U001594, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 17-04-2003 Статус Запланована Назва роботи Широкозонні напівпровідникові шари ZnO:Al, ITO та CdS в плівкових фотоелектрично активних гетеросистемах Здобувач Юрченко Григорій Васильович, Керівник Бойко Б.Т. Опонент Бєлов О.Г. Опонент Лопаткін Ю.М. Опис Об'єкт - фізичні процеси впливу технологічних рішень широкозонних напівпровідникових шарів на ефективність фотоелектрично активних плівкових багатошарових гетеро- систем; мета - розроблення фізичних основ матеріалознавчої оптимізації технології одержання широкозонних напівпровід- никових шарів для плівкових гетеросистем; методи - фізич- ні та структурні методи дослідження; новизна - вперше за- пропоновані фізичні роль та механізми деградації широко- зонних шарів ZnO:Al, ITO та CdS в багатошарових гетеро- системах; результати - підвищити ефективність плівкових фотоелектричних перетворювачів сонячного випромінюван- ня; галузь - геліоенергетика Дата реєстрації 2003-04-17 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити
Дисертація кандидатська
Широкозонні напівпровідникові шари ZnO:Al, ITO та CdS в плівкових фотоелектрично активних гетеросистемах
1
Юрченко Григорій Васильович. Широкозонні напівпровідникові шари ZnO:Al, ITO та CdS в плівкових фотоелектрично активних гетеросистемах : к.ф.-м.н. : спец.. 01.04.01 - Фізика приладів, елементів і систем : дата захисту 2003-04-17; Статус: Захищена; Національний технічний університет "ХПІ". – , 0403U001594.
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-20


Роздрукувати цю сторінку