Search academic texts

Information × Registration Number 0404U000213, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 03-12-2003 popup.evolution o Title The concentration anomalies of properties in semiconductor solid solutions based on tin telluride Author Kryvulkin Igor Mihajlovich, popup.head Rogacheva Elena Ivanovna popup.opponent Пузіков Вячеслав Михайлович popup.opponent Лашкарьов Георгій Вадимович Description Об'єкт дослідження - напівпровідникові тверді розчини на основі телуриду свинцю у системах PbTe-MnTe та PbTe-GeTe. Мета дослідження - встановлення характеру залежностей механічних, гальваномагнітних та теплових властивостей від складу та температури твердих розчинів на основі PbTe в напівпровідникових системах PbTe-MnTe і PbTe-GeTe. Методи дослідження: мікроструктурний і рентгенодифракційний аналізи, вимірювання мікротвердості, електропровідності, коефіцієнта Холла, коефіцієнта термо - е.р.с., коефіцієнта теплового розширення, теплопровідності та теплоємності. Теоретичні та практичні результати, новизна: проведено комплексне дослідження фізичних властивостей напівпровідникових твердих розчинів на основі телуриду свинцю в системах PbTe-MnTe та PbTe-GeTe в залежності від складу і температури. Встановлено, що в області концентрацій MnTe та GeTe ~ 0,75 - 2 мол.% на ізотермах фізичних властивостей спостерігаються аномалії. Виявлені аномалії пов'язуються з критичними явищами, що супроводжують перехід до сильного легування, який може розглядатися як концентраційний фазовий перехід. В наближенні перколяційної теорії розроблена модель процесів, які визначають немонотонний характер концентраційних залежностей властивостей. На залежностях теплоємності від складу твердих розчинів виявлені чітко виражені піки при 0,75 - 2 мол.% MnTe і GeTe, які підтверджують наявність концентраційних фазових переходів. Зроблено припущення, що перехід до домішкового континууму може супроводжуватися процесами самоорганізації в домішковій підсистемі кристала. Сфера використання: фізика і матеріалознавство потрійних і більш складних напівпровідникових фаз, фізика напівпровідників, фізика дефектів. Registration Date 2003-12-03 popup.nrat_date 2020-04-04 Close