Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0404U000213, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 03-12-2003 Статус Запланована Назва роботи Концентраційні аномалії властивостей в напівпровідникових твердих розчинах на основі телуриду свинцю" Здобувач Кривулькін Ігор михайлович, Керівник Рогачова Олена Іванівна Опонент Пузіков Вячеслав Михайлович Опонент Лашкарьов Георгій Вадимович Опис Об'єкт дослідження - напівпровідникові тверді розчини на основі телуриду свинцю у системах PbTe-MnTe та PbTe-GeTe. Мета дослідження - встановлення характеру залежностей механічних, гальваномагнітних та теплових властивостей від складу та температури твердих розчинів на основі PbTe в напівпровідникових системах PbTe-MnTe і PbTe-GeTe. Методи дослідження: мікроструктурний і рентгенодифракційний аналізи, вимірювання мікротвердості, електропровідності, коефіцієнта Холла, коефіцієнта термо - е.р.с., коефіцієнта теплового розширення, теплопровідності та теплоємності. Теоретичні та практичні результати, новизна: проведено комплексне дослідження фізичних властивостей напівпровідникових твердих розчинів на основі телуриду свинцю в системах PbTe-MnTe та PbTe-GeTe в залежності від складу і температури. Встановлено, що в області концентрацій MnTe та GeTe ~ 0,75 - 2 мол.% на ізотермах фізичних властивостей спостерігаються аномалії. Виявлені аномалії пов'язуються з критичними явищами, що супроводжують перехід до сильного легування, який може розглядатися як концентраційний фазовий перехід. В наближенні перколяційної теорії розроблена модель процесів, які визначають немонотонний характер концентраційних залежностей властивостей. На залежностях теплоємності від складу твердих розчинів виявлені чітко виражені піки при 0,75 - 2 мол.% MnTe і GeTe, які підтверджують наявність концентраційних фазових переходів. Зроблено припущення, що перехід до домішкового континууму може супроводжуватися процесами самоорганізації в домішковій підсистемі кристала. Сфера використання: фізика і матеріалознавство потрійних і більш складних напівпровідникових фаз, фізика напівпровідників, фізика дефектів. Дата реєстрації 2003-12-03 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити