Search academic texts

Information × Registration Number 0404U000769, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 13-02-2004 popup.evolution o Title The influence of adsorption of ammonia molecules on the surface processes in p-n junctions on III-V semiconductors. Author Artemenko Olena Sergiivna, popup.head Ptashchenko Oleksandr Oleksandrovich popup.opponent Ваксман Юрій Федорович popup.opponent Мокрицький Вадим Анатолійович. Description Об'єкт - процеси, які протікають на поверхні, при формуванні чутливості до газового середовища в p-n структурах на основі напівпровідників А(((ВV; мета - встановлення механізмів впливу газової атмосфери на електричні, фотоелектричні властивості та морфологію поверхні в та p-n структурах на основі GaAs, GaxAl1-xAs, та GaP; методи - комплексні дослідження стаціонарних електричних та фотоелектричних характеристик, хімічна обробка поверхні, лазерна еліпсометрія, атомно-силова мікроскопія в інтервалі температур 300-400К; новизна - встановлено, що в p-n структурах на основі GaAs, GaxAl1-xAs, та GaP, поміщених в пари аміаку, виникає додатковий поверхневий струм, що пояснюються утворенням провідного поверхневого каналу; встановлено, в p-n переходах на основі GaAs існування "повільних" поверхневих рекомбінаційних центрів з висотою потенціального бар'єра для електронів =0,48(0,54еВ; результати досліджень можна використати для створення сенсора парів аміаку; галузь-фізика напівпровідників і діелектриків. Registration Date 2004-02-13 popup.nrat_date 2020-04-04 Close