Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0404U000769, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 13-02-2004 Статус Запланована Назва роботи Вплив адсорбції молекул аміаку на поверхневі явища в p-n переходах на основі напівпровідників А(((ВV. Здобувач Артеменко Олена Сергіївна, Керівник Птащенко Олександр Олександрович Опонент Ваксман Юрій Федорович Опонент Мокрицький Вадим Анатолійович. Опис Об'єкт - процеси, які протікають на поверхні, при формуванні чутливості до газового середовища в p-n структурах на основі напівпровідників А(((ВV; мета - встановлення механізмів впливу газової атмосфери на електричні, фотоелектричні властивості та морфологію поверхні в та p-n структурах на основі GaAs, GaxAl1-xAs, та GaP; методи - комплексні дослідження стаціонарних електричних та фотоелектричних характеристик, хімічна обробка поверхні, лазерна еліпсометрія, атомно-силова мікроскопія в інтервалі температур 300-400К; новизна - встановлено, що в p-n структурах на основі GaAs, GaxAl1-xAs, та GaP, поміщених в пари аміаку, виникає додатковий поверхневий струм, що пояснюються утворенням провідного поверхневого каналу; встановлено, в p-n переходах на основі GaAs існування "повільних" поверхневих рекомбінаційних центрів з висотою потенціального бар'єра для електронів =0,48(0,54еВ; результати досліджень можна використати для створення сенсора парів аміаку; галузь-фізика напівпровідників і діелектриків. Дата реєстрації 2004-02-13 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити