Search academic texts

Information × Registration Number 0404U002664, Candidate dissertation Status к.т.н. Date 21-06-2004 popup.evolution o Title MOS-transistors models for design of integrated submicron circuits Author Kornachevskyy Yaroslav Illich, popup.head Petrenko Anatoly Ivanovich popup.opponent Молчанов Олександр Артемович popup.opponent Вербицький Володимир Григорович Description Дисертація присвячена створенню ефективних шляхів для вбудовування моделей в програмні комплекси схемотехнічних САПР на прикладі моделі субмікронного рівня BSIM3. Приділено увагу структурі моделі МОН-транзистора, ефектам, які впливають на точність розрахунку параметрів моделі транзистора субмікронних розмірів, послідовності вбудовування моделі в САПР схемотехнічного проектування, перевірці на правильність отриманої моделі за допомогою порівняльного моделювання. В роботі встановлено методику врахування ємностей в прямому та інверсному режимах, уточнено співвідношення для ємностей в прямому та інверсному режимах, встановлено, що на швидкість збіжності обчислень не впливає друга похідна заряду в вузлах транзистора по вузловій напрузі. Порівняльне моделювання показало, що створена за результатами дисертаційної роботи надійна модифікація моделі BSIM3 не лише правильно моделює субмікронний МОН-транзистор, але й перевищує за ефективністю модель, яка використовується в пакеті схемотехнічного проектування SPICE. Registration Date 2004-06-21 popup.nrat_date 2020-04-04 Close