Search academic texts

Information × Registration Number 0404U004245, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 22-10-2004 popup.evolution o Title Electrical and photoelecrtical properties of the diodes structures based on indium and gallium monoselenides Author Yanchuk Oleksandr Ivanovych, popup.head Kovalyuk Zahar Dmytrovych popup.opponent Савчин Володимир Павлович popup.opponent Раренко Іларій Михайлович Description Дисертація присвячена створенню діодних структур на базі моноселенідів індію та галію, дослідженню їх основних електричних і фотоелектричних властивостей, а також вивченню можливостей практичного використання. Особливістю даної роботи є використання матеріалів з широким спектром електрофізичних параметрів та створенню на їх основі випрямляючих структур різного типу: поверхнево-бар'єрних діодів, p n гомо- та гетеропереходів. Зазначені фактори у поєднанні з варіацією умов досліду (напруга, температура, рівень освітлення та його спектральний склад тощо) дозволили вилучити з великої множини механізмів формування темнових і світлових характеристик необхідний і детально його вивчити. Дослідження показали, що у діодних структурах реалізуються досить багато механізмів струмопроходження: теплова та польова емісія, генераційно рекомбінаційні процеси в області просторового заряду та ударна іонізація. Встановлено, що висота потенціального бар'єра контактів метал напівпровідник визначається різницею робіт виходу контактуючих матеріалів при екрануючій дії поверхневих рівнів. Їх концентрація змінюється у межах (8-15)·1012 см-2 і корелює з різницею електронегативностей елементів базових сполук InSe та GaSe. Вперше побудована енергетична зонна діаграма гетеропереходу pGaSe-nInSe, яка адекватно пояснює всі спостережувані електричні та фотоелектричні властивості цих діодних структур. Фотоелектричні параметри і характеристики визначаються типом діодної структури та її параметрами. Встановлено, що ударна іонізація проводиться переважно носіями одного знаку. Обговорюються можливості практичного використання об'єктів дослідження у якості фотодетекторів, пристроїв типу "сцинтилятор-фотодіод" та інших приладах. Registration Date 2004-10-22 popup.nrat_date 2020-04-04 Close