Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0404U004245, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 22-10-2004 Статус Запланована Назва роботи Електричні та фотоелектричні властивості діодних структур на основі моноселенідів індію та галію Здобувач Янчук Олександр Іванович, Керівник Ковалюк Захар Дмитрович Опонент Савчин Володимир Павлович Опонент Раренко Іларій Михайлович Опис Дисертація присвячена створенню діодних структур на базі моноселенідів індію та галію, дослідженню їх основних електричних і фотоелектричних властивостей, а також вивченню можливостей практичного використання. Особливістю даної роботи є використання матеріалів з широким спектром електрофізичних параметрів та створенню на їх основі випрямляючих структур різного типу: поверхнево-бар'єрних діодів, p n гомо- та гетеропереходів. Зазначені фактори у поєднанні з варіацією умов досліду (напруга, температура, рівень освітлення та його спектральний склад тощо) дозволили вилучити з великої множини механізмів формування темнових і світлових характеристик необхідний і детально його вивчити. Дослідження показали, що у діодних структурах реалізуються досить багато механізмів струмопроходження: теплова та польова емісія, генераційно рекомбінаційні процеси в області просторового заряду та ударна іонізація. Встановлено, що висота потенціального бар'єра контактів метал напівпровідник визначається різницею робіт виходу контактуючих матеріалів при екрануючій дії поверхневих рівнів. Їх концентрація змінюється у межах (8-15)·1012 см-2 і корелює з різницею електронегативностей елементів базових сполук InSe та GaSe. Вперше побудована енергетична зонна діаграма гетеропереходу pGaSe-nInSe, яка адекватно пояснює всі спостережувані електричні та фотоелектричні властивості цих діодних структур. Фотоелектричні параметри і характеристики визначаються типом діодної структури та її параметрами. Встановлено, що ударна іонізація проводиться переважно носіями одного знаку. Обговорюються можливості практичного використання об'єктів дослідження у якості фотодетекторів, пристроїв типу "сцинтилятор-фотодіод" та інших приладах. Дата реєстрації 2004-10-22 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити