Search academic texts

Information × Registration Number 0404U004248, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 20-10-2004 popup.evolution o Title Preparation and properties of doped epitaxial layers CdXHg1-XTe Author Vlasov Andrij Petrovych, popup.head Savyts'kyj Volodymyr Grygorovych popup.opponent Власенко Олександр Іванович popup.opponent Заячук Дмитро Михайлович Description Робота присвячена дослідженню механізмів дифузії і активації акцепторної домішки As або Sb у варізонних структурах CdXHg1-XTe при парофазній епітаксії та термічному відпалі. Визначено коефіцієнти дифузії As у вузькощілинному CdXHg1-XTe при температурах відпалу вище 500°С та встановлено їх концентраційну залежність. Показано можливість дифузії As у CdXHg1-XTe шляхом утворення тризарядових акцепторних комплексів (AsHgVHg)///. Проаналізовано координатні залежності концентрації As у варізонних структурах CdXHg1-XTe і показано, що форма дифузійних профілів домішки зумовлена існуванням у цих структурах внутрішнього електричного поля. Наведено приклади створення фотовольтаїчних приймачів ІЧ випромінювання на основі легованих варізонних структур CdXHg1-XTe. Результати використовуються при пошуку і розробці елементної бази приладів ІЧ фотоелектроніки. Registration Date 2004-10-20 popup.nrat_date 2020-04-04 Close