Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0404U004248, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 20-10-2004 Статус Запланована Назва роботи Одержання і властивості легованих епітаксійних шарів CdXHg1-XTe Здобувач Власов Андрій Петрович, Керівник Савицький Володимир Григорович Опонент Власенко Олександр Іванович Опонент Заячук Дмитро Михайлович Опис Робота присвячена дослідженню механізмів дифузії і активації акцепторної домішки As або Sb у варізонних структурах CdXHg1-XTe при парофазній епітаксії та термічному відпалі. Визначено коефіцієнти дифузії As у вузькощілинному CdXHg1-XTe при температурах відпалу вище 500°С та встановлено їх концентраційну залежність. Показано можливість дифузії As у CdXHg1-XTe шляхом утворення тризарядових акцепторних комплексів (AsHgVHg)///. Проаналізовано координатні залежності концентрації As у варізонних структурах CdXHg1-XTe і показано, що форма дифузійних профілів домішки зумовлена існуванням у цих структурах внутрішнього електричного поля. Наведено приклади створення фотовольтаїчних приймачів ІЧ випромінювання на основі легованих варізонних структур CdXHg1-XTe. Результати використовуються при пошуку і розробці елементної бази приладів ІЧ фотоелектроніки. Дата реєстрації 2004-10-20 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити