1 documents found
Information × Registration Number 0405U000374, Candidate dissertation Status к.т.н. Date 21-01-2005 popup.evolution o Title Effect of active actions on the formation processes and properties of ohmic and barrier contacts to silicon carbide. Author Kudryk Ya. Ya., popup.head Konakova Raisa Vasil'evna popup.opponent Комащенко Валерій Миколайович popup.opponent Чайка Василь Євгенович Description Дисертація присвячена дослідженню процесів на межі поділу метал/карбід кремнію під впливом активних обробок. Встановлено, що аморфні та квазіаморфні плівки TiBx (ZrBx) у результаті швидкої термічної обробки (ШТО) до температури 1000 °С не зазнають структурних і фазових перетворень. Структури з бар'єром Шотткі на їх основі є стійкими до ШТО до температури 1000 °С та до опромінення (-квантами 60Со (до дози 109 Р). Для формування омічного контакту до SiC були використані, поряд із термічними, також атермічні обробки. Виявлено, що питомий опір і термічна стійкість контактів, сформованих атермічними обробками, такі самі, як і при термічному формуванні. Registration Date 2005-01-21 popup.nrat_date 2020-04-04 Close
Candidate dissertation
1
Kudryk Ya. Ya.. Effect of active actions on the formation processes and properties of ohmic and barrier contacts to silicon carbide. : к.т.н. : spec.. 05.27.06 - Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки : presented. 2005-01-21; popup.evolution: .; Institute of Semiconductor Physics. – , 0405U000374.
1 documents found

Updated: 2026-03-26