Search academic texts

Information × Registration Number 0405U001195, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 16-03-2005 popup.evolution o Title Influence of technological and radiation defects on the phenomena of transfer in many-valley semiconductors n-Ge and n-Si Author Zakharchuk, popup.head Fedosov popup.opponent Шендеровський Василь Андрійович popup.opponent Хіврич Володимир Ількович Description Досліджено вплив шарових періодичних неоднорідностей концентрації легуючої домішки на анізотропію електрофізичних властивостей в монокристалах n-Ge та n-Si при різних дозах гама-опромінення та інтенсивності світла. Розраховано деформаційну зміну енергетичної щілини в n-Si між глибоким рівнем і дном с-зони в широкому інтервалі механічних напружень для [110] та [111]. Визначено температурну залежність положення рівня Фермі в n- та p-Ge з глибокими енергетичними рівнями. Registration Date 2005-03-16 popup.nrat_date 2020-04-04 Close