Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0405U001195, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 16-03-2005 Статус Запланована Назва роботи Вплив технологічних та радіаційних дефектів на явища переносу в багатодолинних напівпровідниках n-Ge та n-Si Здобувач Захарчук Дмитро Андрійович, Керівник Федосов Анатолій Васильович Опонент Шендеровський Василь Андрійович Опонент Хіврич Володимир Ількович Опис Досліджено вплив шарових періодичних неоднорідностей концентрації легуючої домішки на анізотропію електрофізичних властивостей в монокристалах n-Ge та n-Si при різних дозах гама-опромінення та інтенсивності світла. Розраховано деформаційну зміну енергетичної щілини в n-Si між глибоким рівнем і дном с-зони в широкому інтервалі механічних напружень для [110] та [111]. Визначено температурну залежність положення рівня Фермі в n- та p-Ge з глибокими енергетичними рівнями. Дата реєстрації 2005-03-16 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити