Search academic texts

Information × Registration Number 0405U003948, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 21-10-2005 popup.evolution o Title Injection-thermal and recombination processes in semiconductor multibarrier A3B5 emitters of infra-red spectral range Author Bogoslovskaya Alla Borisovna, popup.head Sukach Georgiy Oleksiyovich popup.opponent Глінчук Костянтин Давидович popup.opponent Тартачник Володимир Петрович Description Досліджено вплив інжекційно-термічних процесів на фізичні параметри напівпровідникових ІЧ - випромінювачів на основі сполук GaInAs, InAsSbР, GaInAsSb. Встановлено взаємозв'язок теплових і рекомбінаційних процесів у випромінювачах ІЧ - діапазону. Експериментально встановлено та теоретично обґрунтовано підвищення ймовірності процесів оже-рекомбінації зі зростанням струмового перегріву активної області випромінювачів. Встановлено залежність температури струмового перегріву від величини енергетичних бар'єрів на гетерограниці в випромінювачах на основі одиночних і подвійних гетероструктур з активною GaInAsSb областю та від молярного складу активної області в випромінювачах на основі GaInAs. Досліджено процеси деградації основних функціональних параметрів випромінювачів ІЧ-діапазону в процесі тривалої роботи. Встановлено, що причиною аномальної деградації ІЧ-випромінювачів є конкуренція каналів лінійної рекомбінації через дві групи центрів (стабільні та нестабільні) при слабкій ефективності каналу оже-рекомбінації. Registration Date 2005-10-21 popup.nrat_date 2020-04-04 Close