Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0405U003948, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 21-10-2005 Статус Запланована Назва роботи Інжекційно-термічні та рекомбінаційні процеси в багатобар'єрних А3В5 - навіпровідникових випромінювачах інфрачервоного діапазону Здобувач Богословська Алла Борисівна, Керівник Сукач Георгій Олексійович Опонент Глінчук Костянтин Давидович Опонент Тартачник Володимир Петрович Опис Досліджено вплив інжекційно-термічних процесів на фізичні параметри напівпровідникових ІЧ - випромінювачів на основі сполук GaInAs, InAsSbР, GaInAsSb. Встановлено взаємозв'язок теплових і рекомбінаційних процесів у випромінювачах ІЧ - діапазону. Експериментально встановлено та теоретично обґрунтовано підвищення ймовірності процесів оже-рекомбінації зі зростанням струмового перегріву активної області випромінювачів. Встановлено залежність температури струмового перегріву від величини енергетичних бар'єрів на гетерограниці в випромінювачах на основі одиночних і подвійних гетероструктур з активною GaInAsSb областю та від молярного складу активної області в випромінювачах на основі GaInAs. Досліджено процеси деградації основних функціональних параметрів випромінювачів ІЧ-діапазону в процесі тривалої роботи. Встановлено, що причиною аномальної деградації ІЧ-випромінювачів є конкуренція каналів лінійної рекомбінації через дві групи центрів (стабільні та нестабільні) при слабкій ефективності каналу оже-рекомбінації. Дата реєстрації 2005-10-21 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити
Дисертація кандидатська
2
Богословська Алла Борисівна. Інжекційно-термічні та рекомбінаційні процеси в багатобар'єрних А3В5 - навіпровідникових випромінювачах інфрачервоного діапазону : к.ф.-м.н. : спец.. 01.04.01 - Фізика приладів, елементів і систем : дата захисту 2005-10-21; Статус: Захищена; Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. – , 0405U003948.
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-18