Search academic texts

Information × Registration Number 0406U001328, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 24-03-2006 popup.evolution o Title Processes of the charge carriers transport and capture in the heterosystems amorphous film - crystalline silicon Author Vovk Yaroslav Mykolajovych, popup.head Nazarov Alexey Nikolaevich popup.opponent Каганович Елла Борисівна popup.opponent Крайчинський Анатолій Миколайович Description В дисертаційній роботі досліджуються механізми переносу та захоплення носіїв заряду в гетеросистемах a-Si:H(Er)/c-Si, SiO2(Ge)/c-Si та a-SiC/c-Si, механізм електролюмінесценції (ЕЛ) в гетероструктурі a-Si:H(Er)/c-Si, а також вплив низькотемпературної ВЧ плазмової обробки на електрофізичні та оптичні властивості гетеросистем SiO2(Ge)/c-Si та a-SiC/c-Si. В результаті проведених досліджень було встановлено механізми переносу носіїв заряду в гетеросистемах a-Si:H(Er)/c-Si, SiO2(Ge)/c-Si та a-SiC/c-Si, показано, що у випадку гетероструктур a-Si:H(Er)/c-Si і a-SiC/c-Si струм визначається як електронами, так і дірками. Базуючись на дослідженні процесів струмопереносу і глибоких рівнів, що виникають в забороненій зоні плівки a-Si:H при введенні атомів Er, побудовано модель збудження ЕЛ в гетероструктурі a-Si:H(Er)/c-Si, яка полягає в захопленні та рекомбінації носіїв заряду на електронно-діркових станах, з енергіями Eс-0.55 еВ та Ev+0.40-0.44 еВ, розташованих поблизу ербієво-кисневого комплексу, з послідуючоюрезонансною передачею енергії електрону, що знаходиться на внутрішній оболонці іону ербію. Вперше продемонстрована можливість суттєвого покращення стабільності роботи ЕЛ приладів на основі шарів SiO2, що містять нанокластери Ge за допомогою низькотемпературної ВЧ плазмової обробки. Крім того, показано, що низькотемпературна ВЧ плазмова обробка призводить до суттєвого покращення омічності контакту Al/a-SiC Registration Date 2006-03-24 popup.nrat_date 2020-04-04 Close