Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0406U001328, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 24-03-2006 Статус Запланована Назва роботи Процеси переносу та захоплення носіїв заряду в гетеросистемах аморфна плівка - кристалічний кремній Здобувач Вовк Ярослав Миколайович, Керівник Назаров Олексій Миколайович Опонент Каганович Елла Борисівна Опонент Крайчинський Анатолій Миколайович Опис В дисертаційній роботі досліджуються механізми переносу та захоплення носіїв заряду в гетеросистемах a-Si:H(Er)/c-Si, SiO2(Ge)/c-Si та a-SiC/c-Si, механізм електролюмінесценції (ЕЛ) в гетероструктурі a-Si:H(Er)/c-Si, а також вплив низькотемпературної ВЧ плазмової обробки на електрофізичні та оптичні властивості гетеросистем SiO2(Ge)/c-Si та a-SiC/c-Si. В результаті проведених досліджень було встановлено механізми переносу носіїв заряду в гетеросистемах a-Si:H(Er)/c-Si, SiO2(Ge)/c-Si та a-SiC/c-Si, показано, що у випадку гетероструктур a-Si:H(Er)/c-Si і a-SiC/c-Si струм визначається як електронами, так і дірками. Базуючись на дослідженні процесів струмопереносу і глибоких рівнів, що виникають в забороненій зоні плівки a-Si:H при введенні атомів Er, побудовано модель збудження ЕЛ в гетероструктурі a-Si:H(Er)/c-Si, яка полягає в захопленні та рекомбінації носіїв заряду на електронно-діркових станах, з енергіями Eс-0.55 еВ та Ev+0.40-0.44 еВ, розташованих поблизу ербієво-кисневого комплексу, з послідуючоюрезонансною передачею енергії електрону, що знаходиться на внутрішній оболонці іону ербію. Вперше продемонстрована можливість суттєвого покращення стабільності роботи ЕЛ приладів на основі шарів SiO2, що містять нанокластери Ge за допомогою низькотемпературної ВЧ плазмової обробки. Крім того, показано, що низькотемпературна ВЧ плазмова обробка призводить до суттєвого покращення омічності контакту Al/a-SiC Дата реєстрації 2006-03-24 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити