Search academic texts

Registration Number

0406U002533, Candidate dissertation

Title

Quantum-chemical simulation of interaction processes of hydrogen, silane, phosphorus and boron atoms and ions with ordered and disordered Si(100) and Ge(100) surfaces

Author

ANAN'YiNA Ol'ga Yuriyivna,

popup.head Yanovs'ky Alexandr Sergeevich
popup.opponent Попик Юрій Васильович
popup.opponent Гранкін Віктор Павлович

Status

к.ф.-м.н., 01.04.10, Фізика напівпровідників і діелектриків

Date

26-05-2006

Description

Дисертація присвячена дослідженню геометричних, енергетичних та електронних характеристик чистих поверхонь Si(100) і Ge(100), поверхонь з вакансійними дефектами та дефектами у вигляді адсорбованих атомів і іонів (Н, Р, Р-, Р+, В, В+). В роботі в рамках напівемпіричного методу MNDO проведено моделювання процесів адсорбції, десорбції, поверхневої міграції частинок адсорбату на поверхнях Si(100) і Ge(100). В роботі вирішується проблема врахування впливу ступеня покриття поверхонь воднем на механізм десорбції із моно- та дигідридних станів; встановлюється вплив вакансійних дефектів на адсорбційні властивості поверхонь. Розраховані енергетичні характеристики процесів взаємодії силану з поверхнями Si(100) і Н/Si(100), встановлено механізми початкових стадій росту кремнієвих плівок. Розраховані хемосорбційні стани іонів та атомів фосфору і бору, що адсорбуються на поверхні Si(100) і Ge(100). Продемонстрована різниця в геометричних і електронних характеристиках цих станів.