1 documents found
Information × Registration Number 0407U000359, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 19-01-2007 popup.evolution o Title Kinetics of nanocomposite Si-SiOx films formation and their light-emitting properties Author Maidanchuk Ivan Yuriyovych, popup.head Indutnyy Ivan Zakharovych popup.opponent Вакуленко Олег Васильович popup.opponent Євтух Анатолій Антонович Description Дисертація присвячена вивченню процесів термостимульованого розділення фаз в плівках SiOx, що приводять до формування наночастинок кремнію в оксидній матриці, а також дослідженню можливостей впливу на ФЛ характеристики структур Si-SiOx.Вперше отримана кінетика термостимульованого розділення фаз субоксидів кремнію та формування наночастинок кремнію в оксидній матриці. Розроблена технологія формування поруватих світловипромінюючих структур nc-Si-SiOx, що полягає в осадженні моноксиду кремнію на підкладинки, розміщені під кутом до напрямку потоку випаруваної речовини, та подальшого їх відпалу. Показана можливість контролювати склад та структуру осадженої SiOх плівки, а також спектральний склад фотолюмінісценції nc-Si за рахунок зміни кута осадження. Вивчався вплив хімічної (насиченими парами ацетону та аміаку) та ВЧ плазмової обробки шарів SiOx на формування nc-Si та їх ФЛ властивості. Хімічна обробка поруватих шарів SiOx до відпалу приводить до появи короткохвильової сму ги ФЛ поблизу 600 нм. Зміни спектру ФЛ пов'язуються з модифікацією межі поділу nc-Si-SiOx за рахунок заміни атомів кисню на азот або вуглець в процесі хімічної обробки та подальшого відпалу. Показана можливість керувати положенням та інтенсивністю смуги ФЛ в широкій області спектра від 560 до 950 нм використовуючи методи осадження під кутом, плазмової та хімічної обробки. Registration Date 2007-01-19 popup.nrat_date 2020-04-04 Close
Candidate dissertation
1
Maidanchuk Ivan Yuriyovych. Kinetics of nanocomposite Si-SiOx films formation and their light-emitting properties : к.ф.-м.н. : spec.. 01.04.07 - Фізика твердого тіла : presented. 2007-01-19; popup.evolution: .; Institute of Semiconductor Physics. – , 0407U000359.
1 documents found

Updated: 2026-03-25