Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0407U000359, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 19-01-2007 Статус Запланована Назва роботи Кінетика формування нанокомпозитних плівок Si-SiOx та їх світловипромінюючі характеристики Здобувач Майданчук Іван Юрійович, Керівник Індутний Іван Захарович Опонент Вакуленко Олег Васильович Опонент Євтух Анатолій Антонович Опис Дисертація присвячена вивченню процесів термостимульованого розділення фаз в плівках SiOx, що приводять до формування наночастинок кремнію в оксидній матриці, а також дослідженню можливостей впливу на ФЛ характеристики структур Si-SiOx.Вперше отримана кінетика термостимульованого розділення фаз субоксидів кремнію та формування наночастинок кремнію в оксидній матриці. Розроблена технологія формування поруватих світловипромінюючих структур nc-Si-SiOx, що полягає в осадженні моноксиду кремнію на підкладинки, розміщені під кутом до напрямку потоку випаруваної речовини, та подальшого їх відпалу. Показана можливість контролювати склад та структуру осадженої SiOх плівки, а також спектральний склад фотолюмінісценції nc-Si за рахунок зміни кута осадження. Вивчався вплив хімічної (насиченими парами ацетону та аміаку) та ВЧ плазмової обробки шарів SiOx на формування nc-Si та їх ФЛ властивості. Хімічна обробка поруватих шарів SiOx до відпалу приводить до появи короткохвильової сму ги ФЛ поблизу 600 нм. Зміни спектру ФЛ пов'язуються з модифікацією межі поділу nc-Si-SiOx за рахунок заміни атомів кисню на азот або вуглець в процесі хімічної обробки та подальшого відпалу. Показана можливість керувати положенням та інтенсивністю смуги ФЛ в широкій області спектра від 560 до 950 нм використовуючи методи осадження під кутом, плазмової та хімічної обробки. Дата реєстрації 2007-01-19 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити
Дисертація кандидатська
1
Майданчук Іван Юрійович. Кінетика формування нанокомпозитних плівок Si-SiOx та їх світловипромінюючі характеристики : к.ф.-м.н. : спец.. 01.04.07 - Фізика твердого тіла : дата захисту 2007-01-19; Статус: Захищена; Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. – , 0407U000359.
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-16