Search academic texts

Information × Registration Number 0407U004041, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 24-09-2007 popup.evolution o Title Properties of GaN-films, obtained by nitridation of porous GaAs Author Revenko Andrey Sergeevich, popup.head Kidalov Valeriy Vitalievich popup.opponent Стронський Олександр Володимирович popup.opponent Ільченко Володимир Васильович Description В дисертаційній роботі отримано нові типи гетеропереходів GaN/por-GaAs/GaAs, представ-лено результати досліджень їх властивостей. Розроблена математична модель конвертації поверх-невих шарів GaAs у GaN за рахунок дифузії атомів азоту у GaAs за механізмом kick-out. Встанов-лено, що за температур, менших 800 К інтенсивність конвертації недостатня для формування плі-вок GaN, внаслідок чого формується потрійна сполука GaAsN. За температур, вищих 1000 К від-бувається погіршення морфології плівок внаслідок інтенсивної декомпозиції матеріалу підкладки GaAs. Досліджено властивості плівок GaN/por-GaAs, доведено позитивний вплив використання поруватих підкладок GaAs на їх оптичні, структурні та морфологічні властивості. З'ясовано позитивний вплив відпалення гетероепітаксійних плівок GaN у радикалах азоту на склад власних дефектів: зменшення концентрації точкових дефектів вакансій азоту та донно-акцепторних пар, поліпшення стехіометрії у плівках GaN. На основі проведених досліджень оптимізовано фізико-технологічні аспекти нітридизації поруватих підкладок GaAs для формування якісних напівпровідникових гетероструктур GaN/por-GaAs/GaAs. Registration Date 2007-09-24 popup.nrat_date 2020-04-04 Close