Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0407U004041, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 24-09-2007 Статус Запланована Назва роботи Властивості плівок GaN, отриманих на поруватому GaAs методом нітридизації Здобувач Ревенко Андрій Сергійович, Керівник Кідалов Валерій Віталійович Опонент Стронський Олександр Володимирович Опонент Ільченко Володимир Васильович Опис В дисертаційній роботі отримано нові типи гетеропереходів GaN/por-GaAs/GaAs, представ-лено результати досліджень їх властивостей. Розроблена математична модель конвертації поверх-невих шарів GaAs у GaN за рахунок дифузії атомів азоту у GaAs за механізмом kick-out. Встанов-лено, що за температур, менших 800 К інтенсивність конвертації недостатня для формування плі-вок GaN, внаслідок чого формується потрійна сполука GaAsN. За температур, вищих 1000 К від-бувається погіршення морфології плівок внаслідок інтенсивної декомпозиції матеріалу підкладки GaAs. Досліджено властивості плівок GaN/por-GaAs, доведено позитивний вплив використання поруватих підкладок GaAs на їх оптичні, структурні та морфологічні властивості. З'ясовано позитивний вплив відпалення гетероепітаксійних плівок GaN у радикалах азоту на склад власних дефектів: зменшення концентрації точкових дефектів вакансій азоту та донно-акцепторних пар, поліпшення стехіометрії у плівках GaN. На основі проведених досліджень оптимізовано фізико-технологічні аспекти нітридизації поруватих підкладок GaAs для формування якісних напівпровідникових гетероструктур GaN/por-GaAs/GaAs. Дата реєстрації 2007-09-24 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити