Search academic texts

Information × Registration Number 0408U004840, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 30-10-2008 popup.evolution o Title Peculiarities of Radiation Defect Formation in Silicon Single Crystals under Electron Irradiation at High-Temperature Author Kolosyuk Andriy Grygorovych, popup.head Neimash Volodymyr Borysovych popup.opponent Баранський Петро Іванович popup.opponent Хіврич Володимир Ілліч popup.opponent Бабич Вілік Максимович Description Досліджено залежність кінетики утворення радіаційних дефектів (РД) в n?Si при опроміненні 1 МеВ електронами в діапазоні 100-633 К від температури зразків. Експериментально показано можливість накопичення вторинних РД при температурах вищих температури повного відпалу. Показано, що радіація здатна прискорювати відпал VO комплексів внаслідок іонізації кристала. Експериментально встановлено та проаналізовано характер температурної залежності ефективності генерації вільних вакансій в інтервалі температур від 125 до 630 К при електронному опроміненні n-Si. Він пояснений за допомогою додаткового гальмування вибитих "гарячих" атомів внаслідок взаємодії з акустичними та оптичними фононами. Експериментально встановлено, що причиною "негативного" відпалу часу життя нерівноважних носіїв заряду є утворення комплексу V2O. Registration Date 2008-10-30 popup.nrat_date 2020-04-04 Close