Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0408U004840, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 30-10-2008 Статус Запланована Назва роботи Особливості радіаційного дефектоутворення при високотемпературному електронному опроміненні монокристалічного кремнію Здобувач Колосюк Андрій Григорович, Керівник Неймаш Володимир Борисович Опонент Баранський Петро Іванович Опонент Хіврич Володимир Ілліч Опонент Бабич Вілік Максимович Опис Досліджено залежність кінетики утворення радіаційних дефектів (РД) в n?Si при опроміненні 1 МеВ електронами в діапазоні 100-633 К від температури зразків. Експериментально показано можливість накопичення вторинних РД при температурах вищих температури повного відпалу. Показано, що радіація здатна прискорювати відпал VO комплексів внаслідок іонізації кристала. Експериментально встановлено та проаналізовано характер температурної залежності ефективності генерації вільних вакансій в інтервалі температур від 125 до 630 К при електронному опроміненні n-Si. Він пояснений за допомогою додаткового гальмування вибитих "гарячих" атомів внаслідок взаємодії з акустичними та оптичними фононами. Експериментально встановлено, що причиною "негативного" відпалу часу життя нерівноважних носіїв заряду є утворення комплексу V2O. Дата реєстрації 2008-10-30 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити