1 documents found
Information × Registration Number 0409U000860, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 27-02-2009 popup.evolution o Title The influence of microstructure changes on the luminescence of low dimensional ZnS, CdSe Author Optasyuk Sergij Vasyl'ovych, popup.head Bacherikov Yurii popup.opponent Стронський Олександр Володимирович popup.opponent Зеленський Сергій Євгенійович Description Дисертаційна робота присвячена дослідженню закономірностей впливу на люмінесцентні характеристики мікроструктурних перетворень, обумовлених дифузійними процесами домішок, а також процесами, що впливають на формування випромінюючих центрів і їх оточення внаслідок термічного відпалу та зовнішніх впливів у низькорозмірних ZnS, CdSe. На основі аналізу люмінесцентних характеристик досліджено процеси дифузії Ga в порошкоподібному ZnS при низькотемпературному легуванні з урахуванням впливу зовнішніх факторів. Запропоновано робочі моделі процесів дифузії Ga в ZnS при низькотемпературному легуванні ZnS металічним галієм та дії зовнішніх факторів. Показано взаємозв'язок зміни люмінесцентних характеристик і дифузійних процесів Mn в ZnS, що протікають в матеріалі на посттехнологічному етапі. З'ясовано, що дифузія Mn в ZnS реалізується декількома каналами - швидкого і повільного протікання дифузії. Встановлено, що обробка енергетично слабкими магнітними полями люмінофорів на основі ZnS:Mn призводить до перерозподілу ефективності між каналами збудження Mn2+ в порошкових люмінофорах ZnS:Mn. Встановлено перерозподіл інтенсивності смуг люмінесценції в квантових точках CdSe під дією електричного поля, який обумовлений перекачкою фотозбуджених носіїв заряду з квантової ями на дефектно-поверхневі стани в наночастинці CdSe. Registration Date 2009-02-27 popup.nrat_date 2020-04-04 Close
Candidate dissertation
5
Optasyuk Sergij Vasyl'ovych. The influence of microstructure changes on the luminescence of low dimensional ZnS, CdSe : к.ф.-м.н. : spec.. 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків : presented. 2009-02-27; popup.evolution: .; Institute of Semiconductor Physics. – , 0409U000860.
1 documents found

Updated: 2026-03-24