Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0409U000860, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 27-02-2009 Статус Запланована Назва роботи Вплив мікроструктурних перетворень на люмінесценцію низькорозмірних ZnS, CdSe Здобувач Оптасюк Сергій Васильович, Керівник Бачеріков Юрій Юрійович Опонент Стронський Олександр Володимирович Опонент Зеленський Сергій Євгенійович Опис Дисертаційна робота присвячена дослідженню закономірностей впливу на люмінесцентні характеристики мікроструктурних перетворень, обумовлених дифузійними процесами домішок, а також процесами, що впливають на формування випромінюючих центрів і їх оточення внаслідок термічного відпалу та зовнішніх впливів у низькорозмірних ZnS, CdSe. На основі аналізу люмінесцентних характеристик досліджено процеси дифузії Ga в порошкоподібному ZnS при низькотемпературному легуванні з урахуванням впливу зовнішніх факторів. Запропоновано робочі моделі процесів дифузії Ga в ZnS при низькотемпературному легуванні ZnS металічним галієм та дії зовнішніх факторів. Показано взаємозв'язок зміни люмінесцентних характеристик і дифузійних процесів Mn в ZnS, що протікають в матеріалі на посттехнологічному етапі. З'ясовано, що дифузія Mn в ZnS реалізується декількома каналами - швидкого і повільного протікання дифузії. Встановлено, що обробка енергетично слабкими магнітними полями люмінофорів на основі ZnS:Mn призводить до перерозподілу ефективності між каналами збудження Mn2+ в порошкових люмінофорах ZnS:Mn. Встановлено перерозподіл інтенсивності смуг люмінесценції в квантових точках CdSe під дією електричного поля, який обумовлений перекачкою фотозбуджених носіїв заряду з квантової ями на дефектно-поверхневі стани в наночастинці CdSe. Дата реєстрації 2009-02-27 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити
Дисертація кандидатська
5
Оптасюк Сергій Васильович. Вплив мікроструктурних перетворень на люмінесценцію низькорозмірних ZnS, CdSe : к.ф.-м.н. : спец.. 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків : дата захисту 2009-02-27; Статус: Захищена; Інститут фізики напівпровідників. – , 0409U000860.
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-15