Search academic texts

Registration Number

0409U001507, Candidate dissertation

Status

к.ф.-м.н., 01.04.07, Фізика твердого тіла

Date

27-03-2009

popup.evolution

o

Title

The іnfluence of defects on change of properties of semi-insulsting undoped gallium arsenide single crystals in thermal processes

Author

Shtan'ko Olexandr Dmitrievich,

popup.head Shutov Stanislav Victorovich
popup.opponent Чуйко Геннадій Петрович
popup.opponent Раранский Микола Дмитрович

Description

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.07 - фізика твердого тіла. Виконано експериментальні дослідження зміни об'ємних і поверхневих властивостей монокристалів напівізолюючого нелегованого арсеніду галію з різним відхиленням складу від стехіометричного в термічних процесах під впливом власних і домішкових дефектів їх структури. Установлені основні закономірності зміни від часу гомогенізуючого та розчинюючого відпалів з загартуванням кристалів фізичних параметрів в об'ємі монокристалів двох груп: з надлишковим відносно стехіометричного складу вмістом миш'яку і з надлишком галію. Визначено, що поверхнева термостабільність електрофізичних характеристик кристалів НІН GaAs погіршується зі збільшенням вмісту вакансій миш'яку, а також зі зростанням щільності дислокацій. Поліпшення термостабільності відбувається при використанні режиму довготривалого (більше двох годин) охолодження кристалів. Показано, що зниження рекомбінаційної активності центрівEL2, яке зумовлене формуванням комплексів EL2-Cu, має місце в тому випадку, коли атом міді в складі комплексу займає позицію атома галію. Крім міді на випромінювальну рекомбінацію через центри EL2 також впливають атоми кадмію і селену. Встановлено, що значення механічних напружень при неоднорідному розподілі атомів домішки залежать від вакансійного складу кристала, якщо дифузія домішки відбувається по вакансіях галію і не залежать від нього при міжвузловому механізмі дифузії. Ключові слова: арсенід галію, термообробка, точкові дефекти, домішка, дислокації, дифузія, електрофізичні властивості, механічні напруження.

popup.nrat_date

2020-04-04