Реєстраційний номер
0409U001507, Кандидатська дисертація
На здобуття
к.ф.-м.н.
Дата захисту
27-03-2009
Статус
Захищена
Назва роботи
Вплив точкових дефектів на зміну властивостей кристалів напівізолюючого нелегованого арсеніду галію в термічних процесах
Здобувач
Штанько Олександр Дмитрович,
Керівник Шутов Станіслав Вікторович
Опонент Чуйко Геннадій Петрович
Опонент Раранский Микола Дмитрович
Установа, організація, у вченій раді якої відбудеться/відбувся захист
Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
Опис
Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.07 - фізика твердого тіла. Виконано експериментальні дослідження зміни об'ємних і поверхневих властивостей монокристалів напівізолюючого нелегованого арсеніду галію з різним відхиленням складу від стехіометричного в термічних процесах під впливом власних і домішкових дефектів їх структури. Установлені основні закономірності зміни від часу гомогенізуючого та розчинюючого відпалів з загартуванням кристалів фізичних параметрів в об'ємі монокристалів двох груп: з надлишковим відносно стехіометричного складу вмістом миш'яку і з надлишком галію. Визначено, що поверхнева термостабільність електрофізичних характеристик кристалів НІН GaAs погіршується зі збільшенням вмісту вакансій миш'яку, а також зі зростанням щільності дислокацій. Поліпшення термостабільності відбувається при використанні режиму довготривалого (більше двох годин) охолодження кристалів. Показано, що зниження рекомбінаційної активності центрівEL2, яке зумовлене формуванням комплексів EL2-Cu, має місце в тому випадку, коли атом міді в складі комплексу займає позицію атома галію. Крім міді на випромінювальну рекомбінацію через центри EL2 також впливають атоми кадмію і селену. Встановлено, що значення механічних напружень при неоднорідному розподілі атомів домішки залежать від вакансійного складу кристала, якщо дифузія домішки відбувається по вакансіях галію і не залежать від нього при міжвузловому механізмі дифузії. Ключові слова: арсенід галію, термообробка, точкові дефекти, домішка, дислокації, дифузія, електрофізичні властивості, механічні напруження.
Дата реєстрації
2009-04-09
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-04 / 2026-06-30
