Registration Number
0409U001949, Candidate dissertation
Status
к.ф.-м.н.
Date
24-04-2009
popup.evolution
.
Title
Oxidization process influence on defect formation in the doped silicon
Author
Yatsunskiy Igor Rostislavovich,
popup.head Chemeresyuk Georgiy Gavrilovich
popup.opponent Курмашев Шаміль Джамашевич
popup.opponent Мокрицький Вадим Анатолійович
popup.rada
Odessa I.I.Mechnikov's national Universitu
Description
В дисертації на основі проведених за допомогою сучасних методів досліджень визначена реальна дефектна структура приповерхневих шарів кремнію в системі Si-SiO2. У результаті появи механічних напруг і деформацій у приповерхневій області кремнію утворюється складна структура, що складається з області сильно разупорядкованого кремнію й області яка містить дислокаційні сітки. На границі області разупорядкованого кремнію й області дислокаційних сіток спостерігається стрибок величини механічних напруг, що виникає внаслідок прискореної дифузії кисню уздовж структурних дефектів у процесі окислення, що й приводить до стрибка щільності рівнів захоплення електронів. Ширина приповерхньої області кремнію, що містить разупорядкований кремній і дислокаційні сітки залежить від рівня локалізованих на межі розподілу механічних напруг. На основі моделі приповерхневих шарів окисленого кремнію побудована модель струмопереносу в інверсійному каналі польових МОН - приладів. Дана модель враховує факт розсіювання носіїв зарядуна дислокаційних бар'єрах, які присутні у каналі. Глибокі рівні приповерхнього шару кремнію, які утворені границями блоків разупорядкованого кремнію, впливають на баланс між радіаційною чутливістю й термополевой стабільністю параметрів дозиметрів поглинаючої дози іонізуючих випромінювань на основі польових МОН - транзисторів, що дозволяє поліпшити радіаційні й термопольові параметри дозиметрів на основі МОН - структур. У процесі термічного окислення кремнію й шляхом хімічної обробки поверхні пластин, отриманий хімічно - наноструктурований кремній, що випромінює у видимій області спектра. Даний метод дозволяє одержувати фотолюмінісцентні структури в єдиному технологічному циклі при виробництві мікроелектронних приладів з діоксидною ізоляцією.
Registration Date
2009-05-21
popup.nrat_date
2020-04-04 / 2026-06-30
