Search academic texts

Information × Registration Number 0409U002486, Candidate dissertation Status к.т.н. Date 22-05-2009 popup.evolution o Title GaAs LEC Furnace Engineering for Low Structural Defects Monocrystal Growth Author Khozya Pavlo Oleksandrovych, popup.head Oksanych Anatoliy Petrovych popup.opponent Стронський Олександр Володимирович popup.opponent Ковтун Геннадій Прокопович Description Об'єкт дослідження - ростова камера вирощування монокристалів GaАs LEC методом; предмет дослідження - механізм формування теплових умов в зоні кристалізації монокристалів GaАs LEC методом; мета дослідження - розробка, на основі результатів моделювання і дослідження температурних полів та внутрішньої напруги в злитку, теплового вузла, що забезпечує вирощування злитків GaАs зі зниженим вмістом структурних дефектів. Методи дослідження базуються на фундаментальних положеннях теорії росту монокристалів напівпровідників з розплаву, теорії тепломасоперенесення, математичного моделювання, методу кінцевих елементів. Отримано аналітичні залежності оцінки впливу координат взаємного розташування конструктивних елементів на теплові потоки випромінювання в робочій зоні теплового вузла ростової установки. Отримано чисельно-аналітичне рішення задачі теплообміну на поверхні злитка. Розроблено метод оптимізації розмірів і розташування теплового екрану ростової установки за допомогою спеціальної чисельно-аналітичної теплової моделі і еволюційного алгоритму. Запропоновано нову модель теплового вузла. Результати можуть бути використані на підприємствах та у наукових установах, що займаються вирощуванням об'ємних монокристалів GaAs Registration Date 2009-05-22 popup.nrat_date 2020-04-04 Close