Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0409U002486, Кандидатська дисертація На здобуття к.т.н. Дата захисту 22-05-2009 Статус Запланована Назва роботи Розробка теплового вузла для вирощування монокристалів GaАs за LEC технологією зі зниженим вмістом структурних дефектів Здобувач Хозя Павло Олександрович, Керівник Оксанич Анатолій Петрович Опонент Стронський Олександр Володимирович Опонент Ковтун Геннадій Прокопович Опис Об'єкт дослідження - ростова камера вирощування монокристалів GaАs LEC методом; предмет дослідження - механізм формування теплових умов в зоні кристалізації монокристалів GaАs LEC методом; мета дослідження - розробка, на основі результатів моделювання і дослідження температурних полів та внутрішньої напруги в злитку, теплового вузла, що забезпечує вирощування злитків GaАs зі зниженим вмістом структурних дефектів. Методи дослідження базуються на фундаментальних положеннях теорії росту монокристалів напівпровідників з розплаву, теорії тепломасоперенесення, математичного моделювання, методу кінцевих елементів. Отримано аналітичні залежності оцінки впливу координат взаємного розташування конструктивних елементів на теплові потоки випромінювання в робочій зоні теплового вузла ростової установки. Отримано чисельно-аналітичне рішення задачі теплообміну на поверхні злитка. Розроблено метод оптимізації розмірів і розташування теплового екрану ростової установки за допомогою спеціальної чисельно-аналітичної теплової моделі і еволюційного алгоритму. Запропоновано нову модель теплового вузла. Результати можуть бути використані на підприємствах та у наукових установах, що займаються вирощуванням об'ємних монокристалів GaAs Дата реєстрації 2009-05-22 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити