Search academic texts

Information × Registration Number 0409U003091, Candidate dissertation Status к.т.н. Date 02-06-2009 popup.evolution o Title The expansion of safe operation area of power semiconductor devices with volumetric dividing layers. Author Murzin Dmitriy Gennadievich, popup.head Gusev Vladimir Alexandrovich popup.opponent Вербицький Володимир Григорович popup.opponent Романюк Борис Миколайович Description Дисертація присвячена вивченню методів, спрямованих на розширення області безпечної роботи ПНП за рахунок поліпшення рівномірності розподілу напруженості електричного поля та густини струму в структурі ПНП із ОДШ при збереженні швидкодії й малих енергетичних втрат як у стаціонарному, так і в динамічному режимі. Захищається наукова робота, яка включає результати теоретичних ї експериментальних досліджень по розширенню ОБР потужних напівпровідникових приладів з метою реалізації оптимальної сукупності параметрів потужного напівпровідникового ключа. Представлений конструктивний елемент об'ємний ділильний шар дозволяє істотно підвищити однорідність розподілу електричного поля в області просторового заряду, понизити вірогідність виникнення електричної форми вторинного пробою. Отримано одновимірне наближення вирішення рівняння Пуассона для модельної структури з нескінченно тонкими сильно легованими p+ - елементами, вбудованими в низьколеговану n-базу. Отримана залежність максимальної напруги від місцеположення ОДШ у структурі p-n переходу. Встановлений зв'язок між максимальною динамічною напругою і параметрами структури в ключовому режимі роботи транзистора. Досліджений вплив локальних рекомбінаційних областей, створених опромінюванням альфа — частками, на підвищення швидкодії високовольтних транзисторних структур з ОДШ. Представлені результати експериментальних досліджень можливості застосування техніки ОДШ для розширення ОБР потужних напівпровідникових приладів. Registration Date 2009-06-02 popup.nrat_date 2020-04-04 Close