Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0409U003091, Кандидатська дисертація На здобуття к.т.н. Дата захисту 02-06-2009 Статус Запланована Назва роботи Розширення області безпечної роботи потужних напівпровідникових приладів з об'ємними ділильними шарами. Здобувач Мурзін Дмитро Геннадійович, Керівник Гусєв Володимир Олександрович Опонент Вербицький Володимир Григорович Опонент Романюк Борис Миколайович Опис Дисертація присвячена вивченню методів, спрямованих на розширення області безпечної роботи ПНП за рахунок поліпшення рівномірності розподілу напруженості електричного поля та густини струму в структурі ПНП із ОДШ при збереженні швидкодії й малих енергетичних втрат як у стаціонарному, так і в динамічному режимі. Захищається наукова робота, яка включає результати теоретичних ї експериментальних досліджень по розширенню ОБР потужних напівпровідникових приладів з метою реалізації оптимальної сукупності параметрів потужного напівпровідникового ключа. Представлений конструктивний елемент об'ємний ділильний шар дозволяє істотно підвищити однорідність розподілу електричного поля в області просторового заряду, понизити вірогідність виникнення електричної форми вторинного пробою. Отримано одновимірне наближення вирішення рівняння Пуассона для модельної структури з нескінченно тонкими сильно легованими p+ - елементами, вбудованими в низьколеговану n-базу. Отримана залежність максимальної напруги від місцеположення ОДШ у структурі p-n переходу. Встановлений зв'язок між максимальною динамічною напругою і параметрами структури в ключовому режимі роботи транзистора. Досліджений вплив локальних рекомбінаційних областей, створених опромінюванням альфа — частками, на підвищення швидкодії високовольтних транзисторних структур з ОДШ. Представлені результати експериментальних досліджень можливості застосування техніки ОДШ для розширення ОБР потужних напівпровідникових приладів. Дата реєстрації 2009-06-02 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити