Registration Number
0409U004167, Candidate dissertation
Status
к.ф.-м.н.
Date
19-06-2009
popup.evolution
.
Title
Relaxation processes in image sensors on the basis of nonideal CdS-Сu2S heterojunction
Author
Balaban Andrii Petrovich,
popup.head Smyntyna Valentin Andeevich
popup.opponent Курмашев Шаміль Джамашевич
popup.opponent Мокрицький Вадим Анатолійвич
popup.rada
Odessa I.I.Mechnikov's national Universitu
Description
Дисертація присвячена визначенню механізму та створенню моделі релаксаційних процесів в гетеропереході CdS-Cu2S, який призначений для розробки сенсорів зображень. Виділено дві фази релаксації нерівноважного заряду в ОПЗ: фаза швидкої релаксації і фаза повільної релаксації. Показано, що перша реалізується за рахунок викиду заряду шляхом тунелювання на поверхневі стани гетеромежі; друга - за рахунок термічного викиду локалізованого заряду. Доведено, що ефект модуляції струму короткого замикання за допомогою короткохвильового підсвічування реалізується через захват дірок одного типу на глибокі центри у широкозонному CdS. Встановлено, що насичення сигналу гетеропереходу CdS-Cu2S при збільшенні інтенсивності короткохвильового підсвічування відбувається внаслідок значного перевищення дрейфової швидкості носіїв, які перетинають гетеромежу, над швидкістю поверхневої рекомбінації. Отримано вираз для характеристичної кривої сенсора на основі неідеального гетероперехода CdS-Cu2S, який добре погоджується з експериментальними даними і може бути використаний при дослідженні сенситометричних характеристик подібних приладів. Отримані результати можуть бути використані при описанні релаксації сигналу досліджуваного сенсора та при розгляді процесів і явищ у типових неідеальних гетеропереходах. Матеріали роботи також можуть бути використані на підприємствах приладобудівної промисловості при створенні ефективних сенсорів зображення на основі неідеальних гетеропереходів.
Registration Date
2009-07-09
popup.nrat_date
2020-04-04 / 2026-06-30