Registration Number
0409U004783, Candidate dissertation
Status
к.ф.-м.н.
Date
16-10-2009
popup.evolution
.
Title
Photoelectric properties of metal-semiconductor contact with the fullerite, organic semiconductor or nanoparticles intermediate layer.
Author
Naumenko Denys Olexandrovych,
popup.head Dmitruk Mykola (Nicholas) Leontiyovych
popup.opponent Курик Михайло Васильович
popup.opponent Снопок Борис Анатолійович
popup.rada
Institute of Semiconductor Physics
Description
В дисертаційній роботі досліджено вплив проміжного активного шару на механізм формування фотоструму в контакті метал-напівпровідник у випадках, коли як активний шар використовуються: тонкі плівки фулериту або органічного напівпровідника, де за рахунок поглинання світла генеруються додаткові електронно-діркові пари; металеві наночастинки, де збуджується особливий тип квазічастинок локальні плазмони. В результаті проведених досліджень визначено внесок активних шарів у загальний фотострум поверхнево-бар'єрних структур метал-напівпровідник. Показано, що введення тонкого проміжного шару фулериту С60 в структури метал-напівпровідник, як з плоскими, так і мікрорельєфними границями розділу, призводить до збільшення їх фотоструму за рахунок додаткової генерації носіїв струму в області власного поглинання С60, а самі структури демонструють стабільність у часі. Показано, що використання хімічно модифікованих шарів фулериту С60 сприяє утворенню на їх поверхні однорідних за формою і розміром металевих наночастинок, та проаналізовано їх вплив на оптичні, електричні і фотоелектричні властивості структур метал-напівпровідник. Встановлено механізм струмопроходження крізь фулеритовий шар та вплив на нього хімічної полімеризації. Показано, що текстурування поверхні неорганічного напівпровідника мікрорельєфних гетеропереходів органічний/неорганічний напівпровідник приводить до значного збільшення фотоструму досліджуваних структур. Досліджено збудження локального плазмонного резонансу в золотих наночастинках на поверхні напівпровідника, та визначено внесок локальних плазмонів у фотострум поверхнево-бар'єрних структур Au/GaAs з проміжним шаром наночастинок золота на межі поділу.
Registration Date
2009-10-27
popup.nrat_date
2020-04-04 / 2026-06-30
