Search academic texts

Information × Registration Number 0410U001562, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 19-02-2010 popup.evolution o Title Stability of contact metallized systems with Schottky barriers Author Tsymbal Volodymyr Oleksandrovych, popup.head Dovbnya Anatoliy Mykolayovych popup.opponent Маслюк Володимир Трохимович popup.opponent Маслов Микола Іванович Description Мета - розвиток і погоджене застосування методів дослідження процесів деградації в специфічних багатокомпонентних системах - контактах метал-напівпровідник. Об'єкт - явище термічної деградації контактно-металізаційної системи (КМС), включаючи її приконтактні шари, на напівпровідникових кристалах, зокрема, GaAs. Предмет - фізичні процеси масопереносу між компонентами КМС, включаючи дифузійний перенос, хімічні реакції й процеси фазоутворення, а також вплив наявності дифузійних бар'єрів (ДБ) на проникнення золота в робочу область бар'єрних і омічних контактів на GaAs. Методи -рентгеноструктурний аналіз; спектроскопія резерфордівського зворотного розсіювання; електронна мікроскопія. Результати - встановлено, що висока проникність полікристалічних шарів КМС для золота й елементів підкладки (Ga і As) пов'язана з утворенням інтерметалічних сполук; доведено обмежені можливості застосування в складі КМС плівок активних рідкоземельних (Yb) і тугоплавких (Мо) металів з метою підвищення стабільності; доведено, що найбільш ефективними стабілізуючими ДБ у складі досліджених КМС, є однорідні шари LaB6 (аморфні або дисперсні полікристалічні). Впровадження - створення стенду для перевірки технологічних режимів реалізації діодів Шотткі, створення фізичних основ для виготовлення стабільних приладів на їх основі. Галузь використання - виробництво напівпровідникових пристроїв мікроелектроніки Registration Date 2010-02-19 popup.nrat_date 2020-04-04 Close