Registration Number
0410U001562, Candidate dissertation
Status
к.ф.-м.н.
Date
19-02-2010
popup.evolution
.
Title
Stability of contact metallized systems with Schottky barriers
Author
Tsymbal Volodymyr Oleksandrovych,
popup.head Dovbnya Anatoliy Mykolayovych
popup.opponent Маслюк Володимир Трохимович
popup.opponent Маслов Микола Іванович
popup.rada
Kharkov national university of radioelectronics
Description
Мета - розвиток і погоджене застосування методів дослідження процесів деградації в специфічних багатокомпонентних системах - контактах метал-напівпровідник. Об'єкт - явище термічної деградації контактно-металізаційної системи (КМС), включаючи її приконтактні шари, на напівпровідникових кристалах, зокрема, GaAs. Предмет - фізичні процеси масопереносу між компонентами КМС, включаючи дифузійний перенос, хімічні реакції й процеси фазоутворення, а також вплив наявності дифузійних бар'єрів (ДБ) на проникнення золота в робочу область бар'єрних і омічних контактів на GaAs. Методи -рентгеноструктурний аналіз; спектроскопія резерфордівського зворотного розсіювання; електронна мікроскопія. Результати - встановлено, що висока проникність полікристалічних шарів КМС для золота й елементів підкладки (Ga і As) пов'язана з утворенням інтерметалічних сполук; доведено обмежені можливості застосування в складі КМС плівок активних рідкоземельних (Yb) і тугоплавких (Мо) металів з метою підвищення стабільності; доведено, що найбільш ефективними стабілізуючими ДБ у складі досліджених КМС, є однорідні шари LaB6 (аморфні або дисперсні полікристалічні). Впровадження - створення стенду для перевірки технологічних режимів реалізації діодів Шотткі, створення фізичних основ для виготовлення стабільних приладів на їх основі. Галузь використання - виробництво напівпровідникових пристроїв мікроелектроніки
Registration Date
2010-03-18
popup.nrat_date
2020-04-04 / 2026-06-30
