Search academic texts

Information × Registration Number 0411U003795, Candidate dissertation Status к.т.н. Date 07-06-2011 popup.evolution o Title Simulation of Submicron Heterotransistors with Low-Dimensional Systems Author Faleyeva Olena, popup.head Timofeyev Vladimir I. popup.opponent Осінський Володимир Іванович popup.opponent Босий Віталій Ісаєвич Description Вперше розроблено двовимірні математичні моделі та алгоритми для аналізу процесів дрейфу носіїв заряду у гетероструктурних транзисторах з квантовими точками, встановлено механізм підвищення дрейфової швидкості носіїв заряду у гетеротранзисторі з квантовими точками з урахуванням розмірного квантування. За допомогою двовимірної чисельної моделі вперше отримані розподіли потенціалу, дрейфової швидкості, електронної температури, концентрації рухливих носіїв заряду і ін. для гетеротранзисторів з КТ. На основі результатів фізико-топологічного моделювання розроблено схемотехнічні моделі, що дозволяють розраховувати і аналізувати малосигнальні та шумові параметри субмікронних і нанорозмірних багатоканальних гетероструктур з квантовими точками, придатні для оптимізації фізико-топологічних параметрів транзисторів. Registration Date 2011-06-07 popup.nrat_date 2020-04-04 Close