Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0411U003795, Кандидатська дисертація На здобуття к.т.н. Дата захисту 07-06-2011 Статус Запланована Назва роботи Моделювання субмікронних гетеротранзисторів з низькорозмірними системами Здобувач Фалєєва Олена Михайлівна, Керівник Тимофєєв Володимир Іванович Опонент Осінський Володимир Іванович Опонент Босий Віталій Ісаєвич Опис Вперше розроблено двовимірні математичні моделі та алгоритми для аналізу процесів дрейфу носіїв заряду у гетероструктурних транзисторах з квантовими точками, встановлено механізм підвищення дрейфової швидкості носіїв заряду у гетеротранзисторі з квантовими точками з урахуванням розмірного квантування. За допомогою двовимірної чисельної моделі вперше отримані розподіли потенціалу, дрейфової швидкості, електронної температури, концентрації рухливих носіїв заряду і ін. для гетеротранзисторів з КТ. На основі результатів фізико-топологічного моделювання розроблено схемотехнічні моделі, що дозволяють розраховувати і аналізувати малосигнальні та шумові параметри субмікронних і нанорозмірних багатоканальних гетероструктур з квантовими точками, придатні для оптимізації фізико-топологічних параметрів транзисторів. Дата реєстрації 2011-06-07 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити