Search academic texts

Information × Registration Number 0411U004015, Candidate dissertation Status к.т.н. Date 17-06-2011 popup.evolution o Title Increasing the structure perfection of monocrystals of semi-isolating gallium arsenide, grown by the Chohralsky method with liquid hermetic sealing Author Batareyev Viktor Volodymirovich, popup.head Oksanych Anatoliy Petrovych popup.opponent Ковтун Геннадій Прокопович popup.opponent Тербан Віктор Андрійович Description Дисертацію присвячено питанням створення експресних методів, обладнання контролю структурної досконалості монокристалів НІН GaAs і розробці на їх основі технологічних заходів щодо мінімізації термічної напруги і поліпшення структурної досконалості злитків НІН GaAs. Розроблено установку "Полярон" для експресного інтегрального контролю внутрішньої напруги в пластинах НІН GaAs із застосуванням інфрачервоної відео-системи, що дозволяє проводити моніторинг технологічного процесу. Розроблено локальний метод і автоматизовану установку "Полярон-2" із засто-суванням оптичного квантового генератора з =1,15 мкм для локального контролю внутрішньої напруги в НІН GaAs у межах до 8·107 Па. Вперше розроблено повну модель і алгоритм локального вимірювання розподі-лу внутрішньої напруги по площині пластини GaAs. Розроблено інтерфейс оператора автоматизованої вимірювальної установки "Полярон-2" з можливістю представлення результатів вимірювання внутрішньої на-пруги по площини пластини GaAs, а також форми розподілу ліній рівної напруги (ізобари) в площині пластини. Запропоновано оптимальний тепловий режим для фонового нагрівача, зануре-ного у рідкий герметизатор, при вирощування злитків НІН GaAs, а саме 980 С для стадії розрощування злитка і 1100 С для стадії вирощування циліндрової частини. Registration Date 2011-06-17 popup.nrat_date 2020-04-04 Close