Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0411U004015, Кандидатська дисертація На здобуття к.т.н. Дата захисту 17-06-2011 Статус Запланована Назва роботи Підвищення структурної досконалості монокристалів напівізолюючого арсеніду галію, вирощених методом Чохральського з рідинною герметизацією Здобувач Батареєв Віктор Володимирович, Керівник Оксанич Анатолій Петрович Опонент Ковтун Геннадій Прокопович Опонент Тербан Віктор Андрійович Опис Дисертацію присвячено питанням створення експресних методів, обладнання контролю структурної досконалості монокристалів НІН GaAs і розробці на їх основі технологічних заходів щодо мінімізації термічної напруги і поліпшення структурної досконалості злитків НІН GaAs. Розроблено установку "Полярон" для експресного інтегрального контролю внутрішньої напруги в пластинах НІН GaAs із застосуванням інфрачервоної відео-системи, що дозволяє проводити моніторинг технологічного процесу. Розроблено локальний метод і автоматизовану установку "Полярон-2" із засто-суванням оптичного квантового генератора з =1,15 мкм для локального контролю внутрішньої напруги в НІН GaAs у межах до 8·107 Па. Вперше розроблено повну модель і алгоритм локального вимірювання розподі-лу внутрішньої напруги по площині пластини GaAs. Розроблено інтерфейс оператора автоматизованої вимірювальної установки "Полярон-2" з можливістю представлення результатів вимірювання внутрішньої на-пруги по площини пластини GaAs, а також форми розподілу ліній рівної напруги (ізобари) в площині пластини. Запропоновано оптимальний тепловий режим для фонового нагрівача, зануре-ного у рідкий герметизатор, при вирощування злитків НІН GaAs, а саме 980 С для стадії розрощування злитка і 1100 С для стадії вирощування циліндрової частини. Дата реєстрації 2011-06-17 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити