Search academic texts

Information × Registration Number 0411U006211, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 28-10-2011 popup.evolution o Title Origin of the fluctuation processes in advanced field effect transistors. Author Kudina Valeriya Mykolaivna, popup.head Lukyanchikova Natalie Borisovna popup.opponent Лисенко Володимир Сергійович popup.opponent Петричук Михайло Васильович Description Дисертація присвячена дослідженню низькочастотного шуму сучасних транзисторів метал-оксид-напівпровідник (МОН), виготовлених на підшарках кремній на ізоляторі (КНІ). В роботі проведена шумова характеризація повністю збіднених планарних транзисторів з SiON затворним оксидом і тризатворних finFET-транзисторів з затворними стеками на основі high-k діелектриків (HfSiON, HfO2). Показано, що зазначеним приладам притаманний флікер-шум МакУортера, що дозволило визначити розподіли концентрації пасток вглиб затворних діелектриків. Крім того, встановлено вплив двовісного (sSOI) і одновісного (CESL) напруження на шумові властивості цих транзисторів. Для зазначених приладів також виявлено і за допомогою шумових вимірювань пояснено насичення стокових струмів за великих перенапруг на верхньому затворі, а також їх нетривіальну розмірну залежність. Встановлено, що finFET-транзисторам притаманні шумові ефекти плаваючої бази (шумові лоренціани). Шляхом аналізу останніх за допомогою запропонованої методики було визначено нешумові параметри, що характеризують роботу приладів. Встановлено і за допомогою розробленої моделі пояснено вплив двозатворної конфігурації частково збіднених КНІ транзисторів на шумові ефекти плаваючої бази. Знайдено, що їх придушення у однозатворних аналогах можна досягти через прикладення акумулюючої напруги на їх нижній затвор, що пояснюється в рамках розробленої моделі. Registration Date 2011-10-28 popup.nrat_date 2020-04-04 Close