Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0411U006211, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 28-10-2011 Статус Запланована Назва роботи Природа флуктуаційних процесів у сучасних польових транзисторах. Здобувач Кудіна Валерія Миколаївна, Керівник Лук'янчикова Наталія Борисівна Опонент Лисенко Володимир Сергійович Опонент Петричук Михайло Васильович Опис Дисертація присвячена дослідженню низькочастотного шуму сучасних транзисторів метал-оксид-напівпровідник (МОН), виготовлених на підшарках кремній на ізоляторі (КНІ). В роботі проведена шумова характеризація повністю збіднених планарних транзисторів з SiON затворним оксидом і тризатворних finFET-транзисторів з затворними стеками на основі high-k діелектриків (HfSiON, HfO2). Показано, що зазначеним приладам притаманний флікер-шум МакУортера, що дозволило визначити розподіли концентрації пасток вглиб затворних діелектриків. Крім того, встановлено вплив двовісного (sSOI) і одновісного (CESL) напруження на шумові властивості цих транзисторів. Для зазначених приладів також виявлено і за допомогою шумових вимірювань пояснено насичення стокових струмів за великих перенапруг на верхньому затворі, а також їх нетривіальну розмірну залежність. Встановлено, що finFET-транзисторам притаманні шумові ефекти плаваючої бази (шумові лоренціани). Шляхом аналізу останніх за допомогою запропонованої методики було визначено нешумові параметри, що характеризують роботу приладів. Встановлено і за допомогою розробленої моделі пояснено вплив двозатворної конфігурації частково збіднених КНІ транзисторів на шумові ефекти плаваючої бази. Знайдено, що їх придушення у однозатворних аналогах можна досягти через прикладення акумулюючої напруги на їх нижній затвор, що пояснюється в рамках розробленої моделі. Дата реєстрації 2011-10-28 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити