Search academic texts

Information × Registration Number 0411U006958, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 10-11-2011 popup.evolution o Title Effect of the barrier electronic structure on transport characteristics of tunnel contacts with metallic electrodes Author Khachaturova Tetyana Olexandrivna, popup.head Bilogolovskii Mikhajlo Olexsandrovich popup.opponent Хоткевич Андрій Володимирович popup.opponent Токій Валентин Володимирович Description Дисертація присвячена створенню теорії квантовомеханічного електронного тунелювання в гетероструктурах с металевими електродами, з врахуванням реальної електронної й просторової структури ізолюючого прошарку. В рамках двозонної моделі був проведений розрахунок прозорості нанорозмірного діелектричного шару. Досліджені особливості процесів електронного тунелювання в тунельних котактах метал-ізолятор-метал й можливість появи ділянок від'ємного диференціального опору в відповідних тунельних характеристиках. Виконано розрахунок тунельного магнітоопору й теоретично досліджено вплив верхнього краю валентної зони ізолятора на ефект спінової фільтрації в тунельних структурах із двома нанорозмірними шарами магнітного діелектрика. З'ясована основна причина гігантської розбіжності між теоретичними та експериментальними значеннями магнітоопору в подвійних спінових фільтрах із феромагнітними діелектричними прошарками. Виявлені та проаналізовані можливі шляхи подальшого підвищення магнітоопору в приладах, що застосовують ефект спінової фільтрації. Досліджено вплив процесів багаторазоаого андріївського відбивання на вольт-амперні криві для джозефсонівських структур з просторово-неоднорідним перехідним шаром між надпровідними електродами.Теоретичний аналіз зарядового транспорту в багатошарових тунельних системах із врахуванням електронної та просторової структури перехідного шару між металевими обкладинками дозволив не тільки виявити причини розбіжностей між теорією та експериментом в деяких практично важливих об'єктах, але й запропонувати нові електронні прилади для потреб мікро- і наноелектроніки. Registration Date 2011-11-10 popup.nrat_date 2020-04-04 Close