Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0411U006958, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 10-11-2011 Статус Запланована Назва роботи Вплив електронної структури барь'єру на транспортні характеристики тунельних контактів з металевими електродами Здобувач Хачатурова Тетяна Олександрівна, Керівник Білоголовський Михайло Олександрович Опонент Хоткевич Андрій Володимирович Опонент Токій Валентин Володимирович Опис Дисертація присвячена створенню теорії квантовомеханічного електронного тунелювання в гетероструктурах с металевими електродами, з врахуванням реальної електронної й просторової структури ізолюючого прошарку. В рамках двозонної моделі був проведений розрахунок прозорості нанорозмірного діелектричного шару. Досліджені особливості процесів електронного тунелювання в тунельних котактах метал-ізолятор-метал й можливість появи ділянок від'ємного диференціального опору в відповідних тунельних характеристиках. Виконано розрахунок тунельного магнітоопору й теоретично досліджено вплив верхнього краю валентної зони ізолятора на ефект спінової фільтрації в тунельних структурах із двома нанорозмірними шарами магнітного діелектрика. З'ясована основна причина гігантської розбіжності між теоретичними та експериментальними значеннями магнітоопору в подвійних спінових фільтрах із феромагнітними діелектричними прошарками. Виявлені та проаналізовані можливі шляхи подальшого підвищення магнітоопору в приладах, що застосовують ефект спінової фільтрації. Досліджено вплив процесів багаторазоаого андріївського відбивання на вольт-амперні криві для джозефсонівських структур з просторово-неоднорідним перехідним шаром між надпровідними електродами.Теоретичний аналіз зарядового транспорту в багатошарових тунельних системах із врахуванням електронної та просторової структури перехідного шару між металевими обкладинками дозволив не тільки виявити причини розбіжностей між теорією та експериментом в деяких практично важливих об'єктах, але й запропонувати нові електронні прилади для потреб мікро- і наноелектроніки. Дата реєстрації 2011-11-10 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити