Search academic texts

Information × Registration Number 0412U006964, Candidate dissertation Status к.х.н. Date 07-12-2012 popup.evolution o Title Point defects and physicochemical properties of crystals in Pb-Ga (In, Tl)-Te, Pb-Sb (Bi)-Te, Pb-Cr (Co, Ni)-Te systems Author Turovska Liliia Vadymivna, popup.head Freik Dmytro Mykhailovych popup.opponent Неділько Сергій Андрійович popup.opponent Томашик Василь Миколайович Description На основі запропонованих кристалоквазіхімічних формул, аналізу квазіхімічних реакцій утворення точкових дефектів, методу мінімізації термодинамічних потенціалів та результатів комплексних експериментальних даних досліджено дефектну підсистему як бездомішкового плюмбум телуриду, так і кристалів у системах Pb-Ga (In, Tl)-Te, Pb-Sb (Bi)-Te, Pb-Cr (Co, Ni)-Te. Уточнено вид домінуючих точкових дефектів, їх зарядові стани. У кристалах системи Pb-M-Te (M = Ga, In, Tl) комплекс фізико-хімічних властивостей зумовлений різним зарядовим станом металічної компоненти 1+, 2+, 3+, а тип провідності кристалів PbTe:X (X = Sb, Bi) визначається амфотерною дією легуючої домішки. Домінуючими точковими дефектами у легованих кристалах PbTe:Cr є домішкові дефекти, концентрація яких зростає з ростом вмісту домішки. На основі розроблених кристалоквазіхімічних рівнянь твердих розчинів у системах Pb-Ga (In, Tl)-Te, Pb-Sb (Bi)-Te, Pb-Cr-Te встановлено механізми їх утворення. Визначено залежності концентрації точкових дефектів від величини відхилення від стехіометричного складу в плюмбум телуриді та хімічного складу твердих розчинів, встановлено умови формування матеріалів із наперед заданим типом провідності та концентрацією носіїв заряду. Registration Date 2012-12-07 popup.nrat_date 2020-04-04 Close