Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0412U006964, Кандидатська дисертація На здобуття к.х.н. Дата захисту 07-12-2012 Статус Запланована Назва роботи Точкові дефекти та фізико-хімічні властивості кристалів у системах Pb-Ga (In, Tl)-Te, Pb-Sb (Bi)-Te, Pb-Cr (Co, Ni)-Te Здобувач Туровська Лілія Вадимівна, Керівник Фреїк Дмитро Михайлович Опонент Неділько Сергій Андрійович Опонент Томашик Василь Миколайович Опис На основі запропонованих кристалоквазіхімічних формул, аналізу квазіхімічних реакцій утворення точкових дефектів, методу мінімізації термодинамічних потенціалів та результатів комплексних експериментальних даних досліджено дефектну підсистему як бездомішкового плюмбум телуриду, так і кристалів у системах Pb-Ga (In, Tl)-Te, Pb-Sb (Bi)-Te, Pb-Cr (Co, Ni)-Te. Уточнено вид домінуючих точкових дефектів, їх зарядові стани. У кристалах системи Pb-M-Te (M = Ga, In, Tl) комплекс фізико-хімічних властивостей зумовлений різним зарядовим станом металічної компоненти 1+, 2+, 3+, а тип провідності кристалів PbTe:X (X = Sb, Bi) визначається амфотерною дією легуючої домішки. Домінуючими точковими дефектами у легованих кристалах PbTe:Cr є домішкові дефекти, концентрація яких зростає з ростом вмісту домішки. На основі розроблених кристалоквазіхімічних рівнянь твердих розчинів у системах Pb-Ga (In, Tl)-Te, Pb-Sb (Bi)-Te, Pb-Cr-Te встановлено механізми їх утворення. Визначено залежності концентрації точкових дефектів від величини відхилення від стехіометричного складу в плюмбум телуриді та хімічного складу твердих розчинів, встановлено умови формування матеріалів із наперед заданим типом провідності та концентрацією носіїв заряду. Дата реєстрації 2012-12-07 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити