Search academic texts

Information × Registration Number 0413U000863, Candidate dissertation Status к.т.н. Date 01-03-2013 popup.evolution o Title Method and device for input control of structure-sensitive parameters of amorphous semiconductors Author Baraban Serhii Volodymyrovych, popup.head Osadchyk Oleksandr Volodymyrovich popup.opponent Стенцель Йосип Іванович popup.opponent Білинський Йосип Йосипович Description Об'єктом дослідження є процес вимірювального контролю структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників; метою роботи є підвищення вірогідності вхідного контролю структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників на основі диференційно-термічного аналізу; методи дослідження ґрунтуються на використанні моделей фізики напівпровідників, диференціального та логарифмічного числення, теорії функції комплексної змінної та теорії розрахунку нелінійних електричних кіл, теорії ймовірності; теоретичні результати - удосконалено метод вхідного контролю молекулярної структури некристалічних напівпровідників, який відрізняється від існуючих новою ознакою придатності по піковим значенням термодинамічного процесу в некристалічних напівпровідниках, що дозволило підвищити вірогідність вхідного контролю. Введено статистичну норму прийняття рішення про придатність некристалічних напівпровідників, що дозволило організувати статистичний експрес-контроль некристалічних напівпровідників в умовах промислового виробництва електронних приладів. Теоретично обґрунтовано залежність реактивних властивостей транзисторних структур з від'ємним опором від температури некристалічних напівпровідників, яка відрізняється від існуючих тим, що зміна температури попередньо перетворюється у зміну напруги піроелектрика у транзисторній структурі з від'ємним опором, що дозволило створити засіб вхідного контролю структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників з підвищеною точністю і розширеним вимірювальним діапазоном; практичні результати - створено високочутливі частотні вимірювальні перетворювачі температури на основі піроелектричних структур та розроблено мікропроцесорний засіб вхідного контролю структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників. Ступінь впровадження - результати дисертаційної роботи впроваджено в ДП НДІ "Гелій" (м. Вінниця) та в навчальний процес кафедри радіотехніки (м. Вінниця). Сфера (область) використання - виробництво електронних приладів. Registration Date 2013-03-01 popup.nrat_date 2020-04-04 Close