Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0413U000863, Кандидатська дисертація На здобуття к.т.н. Дата захисту 01-03-2013 Статус Запланована Назва роботи Метод і засіб вхідного контролю структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників Здобувач Барабан Сергій Володимирович, Керівник Осадчук Олександр Володимирович Опонент Стенцель Йосип Іванович Опонент Білинський Йосип Йосипович Опис Об'єктом дослідження є процес вимірювального контролю структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників; метою роботи є підвищення вірогідності вхідного контролю структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників на основі диференційно-термічного аналізу; методи дослідження ґрунтуються на використанні моделей фізики напівпровідників, диференціального та логарифмічного числення, теорії функції комплексної змінної та теорії розрахунку нелінійних електричних кіл, теорії ймовірності; теоретичні результати - удосконалено метод вхідного контролю молекулярної структури некристалічних напівпровідників, який відрізняється від існуючих новою ознакою придатності по піковим значенням термодинамічного процесу в некристалічних напівпровідниках, що дозволило підвищити вірогідність вхідного контролю. Введено статистичну норму прийняття рішення про придатність некристалічних напівпровідників, що дозволило організувати статистичний експрес-контроль некристалічних напівпровідників в умовах промислового виробництва електронних приладів. Теоретично обґрунтовано залежність реактивних властивостей транзисторних структур з від'ємним опором від температури некристалічних напівпровідників, яка відрізняється від існуючих тим, що зміна температури попередньо перетворюється у зміну напруги піроелектрика у транзисторній структурі з від'ємним опором, що дозволило створити засіб вхідного контролю структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників з підвищеною точністю і розширеним вимірювальним діапазоном; практичні результати - створено високочутливі частотні вимірювальні перетворювачі температури на основі піроелектричних структур та розроблено мікропроцесорний засіб вхідного контролю структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників. Ступінь впровадження - результати дисертаційної роботи впроваджено в ДП НДІ "Гелій" (м. Вінниця) та в навчальний процес кафедри радіотехніки (м. Вінниця). Сфера (область) використання - виробництво електронних приладів. Дата реєстрації 2013-03-01 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити